Follow us on Facebook Follow us on Twitter Linked In Flickr Watch us on YouTube My Space Blogger
التسجيل
النتائج 1 إلى 3 من 3

ذاكرة الحاسب الالي ( الجزء الثاني والاخير )

هذا الموضوع : ذاكرة الحاسب الالي ( الجزء الثاني والاخير ) داخل البرامج والتقنية | Programs & Softwareالتابع الي قسم المنتديات التقنية : [ ثالثا ] DRAM: بعكس SRAM فان ذاكرة Dynamic RAM لا تستطيع الاحتفاظ بالمعلومة لفترة طويلة. المعلومات يجب تنشيطها باستمرار. ...

  1. #1
    مصمم مجتهد

    الحالة
    غير متصل
    تاريخ التسجيل
    Aug 2007
    الدولة
    مصر
    العمر
    33
    المشاركات
    547
    Thanks
    0
    Thanked 0 Times in 0 Posts
    معدل تقييم المستوى
    23

    ذاكرة الحاسب الالي ( الجزء الثاني والاخير )

    [ ثالثا ] DRAM:
    بعكس SRAM فان ذاكرة Dynamic RAM لا تستطيع الاحتفاظ بالمعلومة لفترة طويلة. المعلومات يجب تنشيطها باستمرار. هنا تقوم الذاكرة بإعادة كتابة المعلومة عدة مئات من المرات في الثانية. هذا النوع من الذاكرة ارخص من SRAM ولذا فإنها تستخدم بغزارة كذاكرة رئيسية لجهاز الحاسب. مثل الآنواع السابقة من الذاكرة، فإنها تنقسم إلى عدة أنواع.

    (1) FPRAM:
    Fast Page Mode DRAM هو من الآنواع القديمة من هذه الذاكرة. عندما كانت أجهزة الحاسب تعمل بمعالجات 286 أو 386 كانت تستخدم هذا النوع من الذاكرة. ببداية الأمر كانت هذه الذاكرة تعمل بسرعة ولوج تعادل 120 نانو ثانية، أي أن المعالج يحتاج أن ينتظر هذه المدة لكي يستطيع الدخول إلى الذاكرة واسترجاع أو إيداع المعلومة. تم فيما بعد تحسين سرعة الولوج لهذه الذاكرة لكي تصل إلى 60 نانو ثانية إلا أنها لازالت تعتبر بطيئة.

    (2) EDO RAM:
    لتحسين سرعة الولوج، تم اختراع ذاكرة Extended Data Out DRAM. هنا تم تسريع عملية ولوج المعالج إلى الذاكرة بواسطة السماح له بالولوج بعملية جديدة قبل انتهاء العملية التي سبقتها. برغم أن النظرية تقول بان هذا النوع من الذاكرة أسرع من FPM DRAM بمعدل الضعف، إلا أن التطبيق الفعلي ينتج عنه تحسن بالأداء يعادل 30% فقط. مشكلة هذا النوع من الذاكرة إنها لا تستطيع العمل على سرعات تردد اكثر من 66 ميغاهرتز.

    (3) BEDO RAM:
    Burst EDO DRAM كانت محاولة لتسريع عمل EDO RAM. الفكرة من تقنية Burst هي بإرسال المعلومة إلى الذاكرة بشكل دفعات. أول دفعة من المعلومة تحتوى على عناوين المعلومات التي تتبعها، لذا فان باقي المعلومة سيتم التعامل معها بشكل أسرع حيث انه تم التجهيز لاستقبالها. برغم نجاح هذه التقنية في تسريع سرعة الولوج إلى الذاكرة لما يقارب 10 نانو ثانية، إلا أن عدم قدرتها على العمل بسرعة تردد أعلي من 66 ميغاهرتز أدى إلي اضمحلالها بغياهب النسيان.

    (4) SDRAM:
    Synchronous DRAM هي اشهر أنواع الذاكرة و أكثرها استخداما الآن، كلمة Synchronous تعنى أن هذه الذاكرة تعمل بنفس سرعة تردد الناقل الأمامي للجهاز، بحسب جودة التصنيع لهذا النوع من الذاكرة، فانه بإمكانها الوصول لسرعة تردد 150 ميغاهرتز وزمن ولوج يصل إلى 7 نانو ثانية. بسبب اعتماد ذاكرة SDRAM على سرعة الناقل الأمامي للجهاز لنقل المعلومة، فان أقصى حجم من المعلومات يمكن نقلها مابين الذاكرة والمعالج هي 800 ميغابايت في الثانية إذا كانت سرعة تردد الناقل الأمامي 100 ميغاهرتز و 1050 ميغابايت إذا كانت 133 ميغاهرتز. للتمييز إمكانية هذه الآنواع من الذاكرة من العمل على سرعات تردد معينه، فقد تم أيجاد توحيد لمسميات تبين السرعة التي تستطيع هذه الذاكرة العمل عليها. PC66 تعنى أن الذاكرة تستطيع العمل على سرعة 66 ميغاهرتز و PC100 تعنى أنها تعمل على 100 ميغاهرتز وهلم جرا.

    (5) DDR-SDRAM:
    وهو التطور المنطقي لذاكرة SDRAM. لزيادة حجم المعلومة المنقولة بين المعالج والذاكرة، فانه تم اختراع تقنية مضاعفة تردد الناقل الأمامي لكي تحول سرعة تردد الناقل الأمامي من 100 إلى 200 ميغاهرتز ومن 133 إلى 266 ميغاهرتز. من هنا أتى المسمى Double Data Rate SDRAM. لفهم عملية المضاعفة هذه يجب أن نبين كيف تعمل دورة الهيرتز. دورة الهيرتز هي عبارة عن إشارة كهربائي بشكل موجه تنقل المعلومة معها أثناء صعودها. تقنية DDR تسمح بالاستفادة من هذه الموجة ليس فقط أثناء صعودها بل أثناء نزولها كذلك حيث يتم نقل معلومة أثناء الصعود ومعلومة أخرى أثناء النزول. بهذه الطريقة فإن الاستفادة من كل دورة هيرتز تكون مضاعفة بنقل معلومتين بكل دورة هيرتز بدل معلومة واحدة. (Data Strobe) هى تقنية ادخلت على هذه الذاكرة لكي تغنى عن استخدام ساعة داخلية بالذاكرة لتنظيم دورات الهيرتز. الساعة التي نتكلم عنها هنا هي المسئولة عن جعل الدورات الداخلية للهيرتز بالذاكرة تسير بانتظام مع الدورات الخاصة بالناقل الأمامي. تقنية Data-Strobe نصت على أن كل معلومة تنقل من الناقل الأمامي إلى الذاكرة تحمل معها إشارة تحدد دورة الهيرتز، بهذه الطريقة تستطيع ذاكرة DDR أن تنظم دوراتها مع الناقل الأمامي بدون استخدام أي ساعة داخلية منظمة. الميزة هنا هي بتوفير الوقت الذي تحتاجه الساعة الداخلية لتحديد دورة الهيرتز مما يعنى أداء أسرع. في هذا النوع من الذاكرة تم تغيير المسمى من تبيان سرعة تردد الناقل الأمامي إلى تبيان حجم المعلومة التي يتم نقلها. PC1600 تبين أن هذه الذاكرة تستطيع نقل 1600 ميغابايت في الثانية بينما PC2100 تعنى أن الذاكرة تستطيع نقل 2100 ميغابايت في الثانية وحاليا وصلت إلى DDR3200 والتي تعمل بتردد 400 ميجاهيرتز ووصلت أكثر من ذلك.
    (6) RDRAM:
    هذه الذاكرة تم تسميتها نسبة إلى الشركة التي قامت بتسجيل براءة الاختراع للتقنية المستخدمة بها. شركة Rambus تعتبر من الشركات التي دخلت إلى عالم الحاسب الشخصي بوقت متأخر نسبيا حيث تم تأسيسها بسنة 1990 ميلادية. بداية الشركة كانت بالتركيز على أجهزة الألعاب مثل Nintendo و Play Station ومن ثم تقدمت إلى حقل الحاسب الشخصي عندما قامت بإقناع شركة Intel بدعم ذاكرتها. ذاكرة Rambus DRAM تعتمد على تقنية مذهلة ترتكز على توزيع نقل المعلومة بين الذاكرة والمعالج على اكثر من قناة. هذه الذاكرة باتت قادرة على الوصول لسرعات تردد تصل إلى 1200 ميغاهرتز وتنقل 10.7 غيغابت في الثانية. النوع الوحيد من المعالجات التي تدعم مثل هذه الذاكرة هو بنتيوم4 المصنع من شركة Intel. كما أن شركة Intel هي الشركة الوحيدة التي تصنع شرائح لوحة أم تستطيع التعامل معها ، ثم تبعتها بعد ذلك شركة SIS. بسبب السعر العالي لهذه الذاكرة، ومطالبة شركة Rambus المصنعين بدفع رسوم تصنيع عالية، و أدائها لغير المقنع مقابل سعرها، فان غالب الشركات المصنعة للذاكرة و المعالجات وشرائح اللوحات الأم قد اتجهت إلي تأييد وتصنيع ذاكرة DDR- DRAM وحتى شركة Intel للأسف تخلت عن هذا النوع من الذاكرة.

    (7) DDR2:
    بالرغم من النجاح الذي حققته ذاكرة DDR إلا إنها كانت تعانى من بعض النقص وأهمها عدم قدرتها على الوصول إلى ترددات عالية. هنا أصبح من الضروري تنقيح ذاكرة DDR وتغيير بعض التقنيات المستخدمة بها. الجدول التالي سيبين بعض أهم الفروقات بين DDR و DDR2:
    الميزة/التقنية DDR DDR2 الفائدة الشكل الخارجي للشرائح الفردية (Package) TSOP (66-pins) FBGA نقل و سرعات أفضل للتيار الكهربائي الجهد الكهربائي (Voltage) 2.5v 1.8v احتياج اقل من الطاقة وحرارة اقل كثافة الشرائح (Densities) 128MB-1GB 128MB-2GB سعات اكبر للذاكرة عدد Banks الداخلية 4 من 4 إلى 8 الشرائح بكثافة 1 ميغابايت وأكثر سيكون عدد البنوك الداخلية بها 8 لتقديم أداء أفضل حجم الدفعة الأولى لقرائة الذاكرة (Prefetch) 2Bit 4Bit نقل أفضل للمعلومة سرعة الناقل 200-400Mhz 400-667Mhz سرعات نقل أفضل توقيت القرائة (Read Latency) 2, 2.5, 3 3, 4, 5 إزالة أنصاف التواقيت يساعد على تحسين المنطق الداخلي للذاكرة (Internal Logic) إنهاء الإشارة (Termination) على اللوحة الأم على شريحة الذاكرة تحسين أداء إنهاء الإشارة وذلك بجعله جزء من شريحة الذاكرة وكذلك المساهمة بتخفيض تكلفة تصنيع اللوحات الأم الشرائح المجمعة (Modules) 184 DIMM Or 172 MicroDimm 240 DIMM Or 244 MicroDimm تحسين تنظيم الشرائح الفردية على لوحة الدوائر المطبوعة لتقديم نقل إشارة أفضل

    من أهم الأمور التي قد تجعل المستخدمين يتخوفون من ذاكرة DDR2 ويفضلون ذاكرة DDR عليها هو التواقيت العالية التي تستخدمها الذاكرة الجديدة. بالفعل فإن النظرة الأولى لتواقيت DDR2 وخصوصا توقيت CAS Latency وهو أهم التواقيت يبين أن المواصفة الرسمية لا تسمح بأي توقيت اقل من 3 بينما ذاكرة DDR تسمح بتوقيت 2. هذا الموضوع لا يزال محل جدل بين المستخدمين ولكن مجمل التحسينات التي أدخلت على الذاكرة والسرعات الكبيرة لها تقلل بشكل كبير من أهمية التواقيت وبالتالي ذاكرة DDR2 قادرة على تقديم أداء أفضل بشكل عام من ذاكرة DDR. لازالت ذاكرة DDR2 تحمل نفس المسميات التي بدأتها ذاكرة DDR حيث أن المسمى يبين سرعة نقل المعلومة والتي وصلت إلى 5300 ميغابت بالثانية لتردد 667 ميغاهرتز.

    (8) GDDR2:

    معالجات كروت الشاشة وصلت إلى مراحل متقدمة جدا من التخصصية والسرعة. والذاكرة المستخدمة على هذه الكروت تحتاج إلى مواصفات خاصة بسبب هذا التخصص. من هنا ارتأت الشركات المتخصصة بصناعة كروت الشاشة (ATI-nVIDIA) على وجه التخصيص العمل المشترك مع شركات تصنيع الذاكرة لصنع نوع من الذواكر المخصصة للرسوميات. من هنا أتى مسمى Graphics DDR2 والذي وضع مواصفات خاصة على ذاكرة DDR2 وأهمها تعديل العنونة (Addressing) بهذا النوع من الذاكرة لتكون مناسبة أكثر لاحتياجات التسريع الرسومى. كما تم تحسين تقنية دخول وخروج المعلومة (I/O) لتقدم أداء أفضل.

    (9) GDDR3:
    لازالت المعالجات الرسومية تتقدم بخطوات أسرع بكثير من المعالجات المكتبية، ولا زالت احتياجاتها من الذاكرة تزداد بشكل مطرد. لهذا السبب لم تستطع الشركات المصنعة لكروت الشاشة الآنتظار إلى أن تنتهي منظمة JEDEC المسئولة عن المواصفات الرسمية للذاكرة من الآنتهاء من تحديد المواصفات الرسمية للجيل الثالث من ذاكرة DDR وعملت مع عدة شركات وعلى رأسها Micron لتصنيع الجيل الثالث من هذه الذاكرة بدون أى مواصفات رسمية موحده. ذاكرة GDDR3 تأتى بتقنية مختلفة لتعريف الإشارة الكهربائية عن سابقتها. Unidirectional Strobing هى تقنية تخفض من الوقت الذي تحتاجه الذاكرة للتعرف على المعلومة حيث انه يغنيها عن الرجوع إلى جدول تعريف الإشارة (DQS). كما تم عمل تحسين لعملية دخول وخروج المعلومة (I/O) وجعل سرعات التردد تبدأ من 600 ميغاهرتز فما أعلى.
    ارجو منكم الدعاء لي

    ahmedmoharram@Live.com
    01113530300

  2. #2
    مصمم جديد

    الحالة
    غير متصل
    تاريخ التسجيل
    Jul 2006
    الدولة
    cairo
    العمر
    37
    المشاركات
    248
    Thanks
    0
    Thanked 0 Times in 0 Posts
    معدل تقييم المستوى
    18
    بارك الله فيك موضع رائع جدا

  3. #3
    مصمم مجتهد

    الحالة
    غير متصل
    تاريخ التسجيل
    Aug 2007
    الدولة
    مصر
    العمر
    33
    المشاركات
    547
    Thanks
    0
    Thanked 0 Times in 0 Posts
    معدل تقييم المستوى
    23
    ربنا يخليك


 

 

المواضيع المتشابهه

  1. تعلم كيفية اصلاح اعطال الحاسب الالي
    بواسطة waleed_ali في المنتدى البرامج والتقنية | Programs & Software
    مشاركات: 0
    آخر مشاركة: 13 / 07 / 2012, 40 : 11 PM
  2. مشاركات: 4
    آخر مشاركة: 06 / 03 / 2012, 50 : 12 PM
  3. ذاكرة الحاسب الالي ( الجزء الاول )
    بواسطة ahmedmoharram في المنتدى البرامج والتقنية | Programs & Software
    مشاركات: 2
    آخر مشاركة: 29 / 10 / 2007, 49 : 10 PM
  4. دليل اعدادات البيوس ( الجزء السابع والاخير )
    بواسطة ahmedmoharram في المنتدى البرامج والتقنية | Programs & Software
    مشاركات: 0
    آخر مشاركة: 24 / 10 / 2007, 25 : 04 PM

الكلمات الدلالية لهذا الموضوع

المفضلات

ضوابط المشاركة

  • لا تستطيع إضافة مواضيع جديدة
  • لا تستطيع الرد على المواضيع
  • لا تستطيع إرفاق ملفات
  • لا تستطيع تعديل مشاركاتك
  •  
الساعة الآن 49 : 05 PM
Powered by vBulletin® Version 4.2.3
Copyright © 2017 vBulletin Solutions, Inc. All rights reserved.
Search Engine Optimization by vBSEO